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1SS88TD

更新时间: 2024-02-29 18:32:03
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瑞萨 - RENESAS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
SILICON, MIXER DIODE, DO-35

1SS88TD 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.77
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:0.97 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1SS88TD 数据手册

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