5秒后页面跳转
1SS82TD-E PDF预览

1SS82TD-E

更新时间: 2024-02-20 23:39:12
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
5页 140K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1SS82TD-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.1 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1SS82TD-E 数据手册

 浏览型号1SS82TD-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS82TD-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1SS82TD-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1SS82TD-E的Datasheet PDF文件第5页 
1SS82  
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching  
REJ03G0562-0300  
(Previous: ADE-208-149B)  
Rev.3.00  
Mar 22, 2005  
Features  
High reverse voltage. (VR = 200 V)  
High reliability with glass seal.  
Ordering Information  
Package Code  
Type No.  
1SS82  
Cathode band  
Verdure  
(Previous Code)  
2nd band  
Light Blue  
Package Name  
DO-35  
GRZZ0002ZB-A  
(DO-35)  
Pin Arrangement  
2
1
2nd band  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.3.00 Mar 22, 2005 page 1 of 4  

与1SS82TD-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1SS82TDX HITACHI Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

获取价格

1SS82TE HITACHI Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

获取价格

1SS83 SEMTECH SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

获取价格

1SS83 RENESAS Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching

获取价格

1SS83 HITACHI Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching

获取价格

1SS83 SUNMATE Switching Diodes Switch detector

获取价格