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1SS82TA-E

更新时间: 2024-02-04 15:58:42
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
5页 140K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1SS82TA-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.1 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1SS82TA-E 数据手册

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1SS82  
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching  
REJ03G0562-0300  
(Previous: ADE-208-149B)  
Rev.3.00  
Mar 22, 2005  
Features  
High reverse voltage. (VR = 200 V)  
High reliability with glass seal.  
Ordering Information  
Package Code  
Type No.  
1SS82  
Cathode band  
Verdure  
(Previous Code)  
2nd band  
Light Blue  
Package Name  
DO-35  
GRZZ0002ZB-A  
(DO-35)  
Pin Arrangement  
2
1
2nd band  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.3.00 Mar 22, 2005 page 1 of 4  

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