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1SS81TA

更新时间: 2024-02-06 19:17:03
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瑞萨 - RENESAS 整流二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
5页 139K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1SS81TA 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.49
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:100 µA最大反向恢复时间:0.1 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS81TA 数据手册

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1SS81  
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching  
REJ03G0561-0300  
(Previous: ADE-208-148B)  
Rev.3.00  
Mar 22, 2005  
Features  
High reverse voltage. (VR = 150 V)  
High reliability with glass seal.  
Ordering Information  
Package Code  
(Previous Code)  
Type No.  
Cathode band  
Package Name  
1SS81  
Verdure  
DO-35  
GRZZ0002ZB-A  
(DO-35)  
Pin Arrangement  
2
1
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.3.00 Mar 22, 2005 page 1 of 4  

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