5秒后页面跳转
1SS286TA PDF预览

1SS286TA

更新时间: 2024-01-17 19:29:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 肖特基二极管微波混频二极管开关
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
SILICON, MIXER DIODE, DO-34

1SS286TA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.69
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:1.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1SS286TA 数据手册

 浏览型号1SS286TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS286TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1SS286TA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1SS286TA的Datasheet PDF文件第5页 
1SS286  
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed  
Switching  
REJ03G0142-0300  
Rev.3.00  
May 24, 2007  
Features  
Very low reverse current.  
Detection efficiency is very good.  
Small glass package (MHD) enables easy mounting and high reliability.  
Ordering Information  
Part No.  
Cathode  
Mark  
Package Name  
Package Code  
1SS286  
GREEN  
7
MHD  
GRZZ0002ZC-A  
Pin Arrangement  
2
1
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
REJ03G0142-0300 Rev.3.00 May 24, 2007  
Page 1 of 4  

与1SS286TA相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1SS286TAX HITACHI 暂无描述

获取价格

1SS286TD HITACHI Mixer Diode, Silicon, DO-34

获取价格

1SS286TD RENESAS SILICON, MIXER DIODE, DO-34

获取价格

1SS286TD-E RENESAS SILICON, MIXER DIODE, DO-34

获取价格

1SS286TDX HITACHI 暂无描述

获取价格

1SS286TJ RENESAS SILICON, MIXER DIODE

获取价格