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1SS119TDX

更新时间: 2024-01-25 16:36:06
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瑞萨 - RENESAS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34

1SS119TDX 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.5
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.8 V
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.0035 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS119TDX 数据手册

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