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1SS118TD

更新时间: 2024-01-30 16:20:14
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瑞萨 - RENESAS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1SS118TD 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.52
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.003 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS118TD 数据手册

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