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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.52 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.003 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1SS118TD | RENESAS | 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1SS118TDX | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1SS118TDX | RENESAS | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1SS118TE | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1SS118TE | RENESAS | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1SS118TX | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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