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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最大二极管电容： | 3 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 技术： | PLANAR DOPED BARRIER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1S2076TE | RENESAS | SILICON, MIXER DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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| 1S2076TE-E | RENESAS | 暂无描述 |
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| 1S2092 | TOSHIBA | SILICON EPTAXIAL PLANAR TYPE |
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| 1S2093 | TOSHIBA | SILICON PLANAR TYPE TRIGGER DIODE |
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| 1S2094 | TOSHIBA | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
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| 1S2095A | TOSHIBA | SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE |
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