是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.78 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 20 Ω | JEDEC-95代码: | DO-34 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 膝阻抗最大值: | 120 Ω |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.4 W | 参考标准: | TS 16949 |
标称参考电压: | 8.81 V | 最大反向电流: | 0.5 µA |
反向测试电压: | 6 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 5.45% | 工作测试电流: | 5 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD9.1ESAB1 | NEC |
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Zener Diode, 8.51V V(Z), 2.59%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN | |
RD9.1ESAB1 | RENESAS |
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8.51V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, DO-34, 2 PIN | |
RD9.1ESAB1 | EIC |
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Zener Diode, | |
RD9.1ESAB1-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB1-AZ | |
RD9.1ESAB1-T2-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB1-T2-AZ | |
RD9.1ESAB1-T4-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB1-T4-AZ | |
RD9.1ESAB2 | NEC |
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Zener Diode, 8.79V V(Z), 2.5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN | |
RD9.1ESAB2 | EIC |
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Zener Diodes | |
RD9.1ESAB2-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB2-AZ | |
RD9.1ESAB2-T2-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB2-T2-AZ |