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RD9.1EB3

更新时间： 2024-11-18 20:19:27

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EIC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	44K
描述
Zener Diode,

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RD9.1EB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
二极管类型：	ZENER DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RD9.1EB3 数据手册

SILICON ZENER DIODES

DO - 35

RD2.0E ~ RD39E

V_Z: 2.0 - 39 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

FEATURES :

0.150 (3.8)

max.

* Complete 2.0 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

min.

0.020 (0.52)max.

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

500

I_F

T_j

Forward Current

200

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 4

Rev. 02 : March 25, 2005

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