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RD9.1EB

更新时间： 2024-11-10 13:47:31

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EIC		测试二极管
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4页	44K
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Zener Diodes

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RD9.1EB 数据手册

SILICON ZENER DIODES

DO - 35

RD2.0E ~ RD39E

V_Z: 2.0 - 39 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

FEATURES :

0.150 (3.8)

max.

* Complete 2.0 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

min.

0.020 (0.52)max.

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

500

I_F

T_j

Forward Current

200

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 4

Rev. 02 : March 25, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD9.1EB1	NEC	获取价格	500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
RD9.1EB1	EIC	获取价格	Zener Diode,
RD9.1EB1-AZ	RENESAS	获取价格	RD9.1EB1-AZ
RD9.1EB1-T1-AZ	RENESAS	获取价格	RD9.1EB1-T1-AZ
RD9.1EB1-T2-AZ	RENESAS	获取价格	RD9.1EB1-T2-AZ
RD9.1EB1-T4-AZ	RENESAS	获取价格	RD9.1EB1-T4-AZ
RD9.1EB1-TB-AZ	RENESAS	获取价格	RD9.1EB1-TB-AZ
RD9.1EB2	NEC	获取价格	500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
RD9.1EB2	EIC	获取价格	Zener Diode,
RD9.1EB2-AZ	RENESAS	获取价格	RD9.1EB2-AZ