是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DO-35 | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.48 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 8.81 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 5.45% |
工作测试电流: | 20 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD9.1EB1 | NEC |
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500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 | |
RD9.1EB1 | EIC |
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Zener Diode, | |
RD9.1EB1-AZ | RENESAS |
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RD9.1EB1-AZ | |
RD9.1EB1-T1-AZ | RENESAS |
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RD9.1EB1-T1-AZ | |
RD9.1EB1-T2-AZ | RENESAS |
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RD9.1EB1-T2-AZ | |
RD9.1EB1-T4-AZ | RENESAS |
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RD9.1EB1-T4-AZ | |
RD9.1EB1-TB-AZ | RENESAS |
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RD9.1EB1-TB-AZ | |
RD9.1EB2 | NEC |
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500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 | |
RD9.1EB2 | EIC |
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Zener Diode, | |
RD9.1EB2-AZ | RENESAS |
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RD9.1EB2-AZ |