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RD6.8ESAB3

更新时间： 2024-11-26 14:14:59

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EIC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	61K
描述
Zener Diode,

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RD6.8ESAB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
二极管类型：	ZENER DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RD6.8ESAB3 数据手册

TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

ZENER DIODES

RD2.0ES SERIES

DO - 34 Glass

VZ : 2.0 - 37.5Volts

P_D: 400 mW

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

FEATURES :

* High reliability

0.118 (3.0)

max.

Cathode

Mark

* Low leakage current

* Suitable for 5mm - pitch high speed automatical

insertion

1.00 (25.4)

min.

0.017 (0.43)max.

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.093g

Dimensions in inches and ( millimeters )

ORDERING INFORMATION

RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3"

should be applied for oders for suffix "AB"

MAXIMUM RATINGS

Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Forward Rectifier Current

Power Dissipation

Symbol

Value

150

Unit

PRSM

400

100

Surge Reverse Power(t = 10μs)

Junction Temperature

175

°C

Storage Temperature Range

Tstg

- 65 to + 175

°C

Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE

500

400

300

200

100

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Ta, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Page 1 of 4

Rev. 03 : December 3, 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RD6.8ES-T1AB2	NEC	获取价格	Zener Diode, 6.66V V(Z), 2.55%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34,
RD6.8ES-T1AB3	NEC	获取价格	Zener Diode, 6.84V V(Z), 2.56%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34,
RD6.8ES-T2AB2	NEC	获取价格	Zener Diode, 6.66V V(Z), 2.55%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34,
RD6.8ES-T2AB3	NEC	获取价格	Zener Diode, 6.84V V(Z), 2.56%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34,
RD6.8E-T1B3	NEC	获取价格	Zener Diode, 6.84V V(Z), 1.98%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,