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RD6.8ESAB3

更新时间: 2024-11-09 14:14:59
品牌 Logo 应用领域
EIC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
Zener Diode,

RD6.8ESAB3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77Is Samacsys:N
二极管类型:ZENER DIODE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RD6.8ESAB3 数据手册

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TH97/10561QM  
TW00/17276EM  
IATF 0060636  
SGS TH07/1033  
ZENER DIODES  
RD2.0ES SERIES  
DO - 34 Glass  
VZ : 2.0 - 37.5Volts  
PD : 400 mW  
1.00 (25.4)  
0.078 (2.0 )max.  
min.  
FEATURES :  
* High reliability  
0.118 (3.0)  
max.  
Cathode  
Mark  
* Low leakage current  
* Suitable for 5mm - pitch high speed automatical  
insertion  
1.00 (25.4)  
min.  
0.017 (0.43)max.  
* Pb / RoHS Free  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-34 Glass Case  
Weight: approx. 0.093g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
ORDERING INFORMATION  
RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3"  
should be applied for oders for suffix "AB"  
MAXIMUM RATINGS  
Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Parameter  
Forward Rectifier Current  
Power Dissipation  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
mA  
mW  
W
IF  
PD  
PRSM  
Tj  
400  
100  
Surge Reverse Power(t = 10μs)  
Junction Temperature  
175  
°C  
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 65 to + 175  
°C  
Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200  
Ta, AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
Page 1 of 4  
Rev. 03 : December 3, 2008  

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