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RD6.8ES

更新时间: 2024-11-23 20:32:55
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美微科 - MCC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 154K
描述
Zener Diode, 6.65V V(Z), 5.41%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, GLASS PACKAGE-2

RD6.8ES 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-34包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.46外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.65 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.41%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

RD6.8ES 数据手册

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M C C  
RD2.0ES  
THRU  
RD39ES  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
400 mW  
Zener Diode  
2.06 to 37.575 Volts  
DO-34 Glass sealed package  
This diode can be inserted into a PC board with a shorter  
pitch(5mm)  
Planar process  
VZ applied E24 standard  
ꢀꢁꢂꢃ4  
Maximum Ratings  
Symbol  
IF  
Rating  
Forward Current  
Rating  
150  
Unit  
mA  
W
PD  
Power dissipation  
400  
PRSM  
TJ  
Surge Reverse Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
100  
W
 
150  
OC  
OC  
TSTG  
-55 to +150  
ꢂꢄꢅꢆꢇꢈꢉꢊ  
ꢋꢄꢌ ꢀ  
ꢀ  
Power Derating  
400  
ꢀ  
ꢀ  
mW  
200  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.094  
.063  
MM  
DIM  
A
MAX  
.118  
MIN  
2.40  
1.60  
0.30  
28.00  
MAX  
3.00  
2.00  
0.50  
30.00  
NOTE  
200  
25  
100  
150  
B
.079  
C
D
.012  
.020  
1.102  
1.181  
Power Dissipation (mW) - Versus - Ambient Temperature   
www.mccsemi.com  
Revision: 1  
2003/05/07  

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