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RD48F3000P0XBQ0A

更新时间： 2024-11-15 15:18:11

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镁光 - MICRON		/
页数	文件大小	规格书
96页	1378K
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64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory

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RD48F3000P0XBQ0A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	85 ns	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	4,127
端子数量：	64	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA64,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	4 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.000155 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.028 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

RD48F3000P0XBQ0A 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P33)

Datasheet

Product Features

High performance:

Security:

— 85 ns initial access

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst

mode

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)

— 3.0 V buffered programming at 7 µs/byte

(Typ)

— One-Time Programmable Registers:

— 64 unique factory device identifier bits

— 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP space in Main Array:

— Four pre-defined 128-KByte blocks (top or

bottom configuration).

— Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

Software:

Architecture:

— Multi-Level Cell Technology: Highest

Density at Lowest Cost

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

Voltage and Power:

Density and Packaging

— V_CC(core) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— V_CCQ(I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— Standby current: 35µA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

16 mA (Typ) at 52MHz

— 56-Lead TSOP package (64, 128, 256, 512-

Mbit)

— 64-Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512-Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512-Mbit)

— 16-bit wide data bus

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

314749-05

November 2007

12 3 4 5 6 7...96

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