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RD48F3000M0YTC0

更新时间： 2023-03-15 00:00:00

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
141页	2256K
描述
Flash, 8MX16, 96ns, PBGA107,

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RD48F3000M0YTC0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA107,9X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	96 ns
启动块：	TOP	命令用户界面：	NO
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B107	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	64	端子数量：	107
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA107,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：	16 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

RD48F3000M0YTC0 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Cellular Memory

(M18)

Datasheet

Product Features

High-Performance Read, Program and Erase

Power

— Core voltage: 1.7 V - 2.0 V

— 96 ns initial read access

— 108 MHz with zero wait-state synchronous

burst reads: 7 ns clock-to-data output

— 133 MHz with zero wait-state synchronous

burst reads: 5.5 ns clock-to-data output

— 8-, 16-, and continuous-word

synchronous-burst Reads

— Programmable WAIT configuration

— Customer-configurable output driver

impedance

— Buffered Programming:

— I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V

— Standby current: 60 µA (typ) for 512-Mbit,

65 nm

— Deep Power-Down mode: 2 µA (typ)

— Automatic Power Savings mode

— 16-word synchronous-burst read current:

23 mA (typ) @ 108 MHz; 24 mA (typ) @

133 MHz

Software

— Numonyx^™Flash Data Integrator

(Numonyx^™FDI) optimized

2.0 µs/Word (typ), 512-Mbit 65 nm;

Block Erase: 0.9 s per block (typ)

— 20 µs (typ) program/erase suspend

Architecture

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

— Common Flash Interface

— 16-bit wide data bus

— Multi-Level Cell Technology

Security

— OTP Registers:

— Symmetrically-Blocked Array Architecture

— 256-Kbyte Erase Blocks

64 unique pre-programmed bits

2112 user-programmable bits

— Absolute write protection with V_PP= GND

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions

— 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions

— 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions.

— 128-Mbit device: Eight 16-Mbit partitions.

— Read-While-Program and Read-While-Erase

— Status Register for partition/device status

— Blank Check feature

Density and Packaging

— Density: 128-, 256-, and 512-Mbit, and 1-

Gbit

— Address-data multiplexed and non-

multiplexed interfaces

— x16D (105-ball) Flash SCSP

— x16C (107-ball) Flash SCSP

— 0.8 mm pitch lead-free solder-ball

Quality and Reliability

— Expanded temperature: –30 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ X Process Technology (65 nm)

— ETOX™ IX Process Technology (90 nm)

Order Number: 309823-10

November 2007

12 3 4 5 6 7...141

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD48F3000M0YUC0	NUMONYX	获取价格	Flash, 8MX16, 96ns, PBGA107,
RD48F3000P0XBQ0	INTEL	获取价格	Flash, 8MX16, 85ns, PBGA80, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-88/80
RD48F3000P0XBQ0A	NUMONYX	获取价格	Flash, 8MX16, 85ns, PBGA64
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RD48F3000P0ZBQ0	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
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RD48F3000P0ZBQ0A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
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