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RD4.3FB

更新时间: 2024-01-21 13:51:26
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EIC 测试二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Zener Diodes

RD4.3FB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.52外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.29 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6.1%工作测试电流:40 mA
Base Number Matches:1

RD4.3FB 数据手册

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SILICON ZENER DIODES  
DO - 35  
RD2.0E ~ RD39E  
VZ : 2.0 - 39 Volts  
PD : 500 mW  
1.00 (25.4)  
0.079(2.0 )max.  
min.  
FEATURES :  
0.150 (3.8)  
max.  
* Complete 2.0 to 39 Volts  
* High peak reverse power dissipation  
* High reliability  
1.00 (25.4)  
min.  
0.020 (0.52)max.  
* Low leakage current  
* Pb / RoHS Free  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
PD  
Power Dissipation  
500  
mW  
IF  
Tj  
Forward Current  
200  
mA  
°C  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 55 to + 175  
- 55 to + 175  
Ts  
°C  
Derating Curve  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
25  
50  
75  
100 125 150 175 200  
Ambient Temperture , Ta (°C)  
Page 1 of 4  
Rev. 02 : March 25, 2005  

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