RD39ESAB

更新时间： 2024-09-22 13:47:31

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EIC		测试二极管齐纳二极管
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Zener Diodes

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RD39ESAB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	85 Ω	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	膝阻抗最大值：	250 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.4 W	参考标准：	TS 16949
标称参考电压：	36.6 V	最大反向电流：	0.2 µA
反向测试电压：	30 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.25%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

RD39ESAB 数据手册

SILICON ZENER DIODES

DO - 35

RD2.0E ~ RD39E

V_Z: 2.0 - 39 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

FEATURES :

0.150 (3.8)

max.

* Complete 2.0 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

min.

0.020 (0.52)max.

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

500

I_F

T_j

Forward Current

200

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 4

Rev. 02 : March 25, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD39ESAB1	EIC	获取价格	Zener Diode,
RD39ESAB1-AZ	RENESAS	获取价格	RD39ESAB1-AZ
RD39ESAB1-T1-AZ	RENESAS	获取价格	RD39ESAB1-T1-AZ
RD39ESAB1-T2-AZ	RENESAS	获取价格	RD39ESAB1-T2-AZ
RD39ESAB2	RENESAS	获取价格	36.28V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, DO-34, 2 PIN
RD39ESAB2	EIC	获取价格	Zener Diodes
RD39ESAB2-T2-AZ	RENESAS	获取价格	RD39ESAB2-T2-AZ
RD39ESAB2-T3-AZ	RENESAS	获取价格	RD39ESAB2-T3-AZ
RD39ESAB2-T4-AZ	RENESAS	获取价格	RD39ESAB2-T4-AZ
RD39ESAB3	EIC	获取价格	Zener Diodes