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RD38F4040L0YWQ0

更新时间： 2024-09-22 09:07:55

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恒忆 - NUMONYX		静态存储器内存集成电路
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68页	988K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM, PBGA88,

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RD38F4040L0YWQ0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FBGA, BGA88,8X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	最长访问时间：	85 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：	FLASH+PSRAM	端子数量：	88
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA88,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00011 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.035 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

RD38F4040L0YWQ0 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Wireless Memory

(L18 SCSP)

768-Mbit L18 Family with Synchronous PSRAM

Datasheet

Product Features

Device Architecture

Flash Performance

— Flash Die Density: 128 or 256-Mbit

— PSRAM Die Density: 32 or 64-Mbit

— x16 Non-Mux or ADMux I/O Interface Option

— Bottom or Top Flash Parameter

Configuration

Device Voltage

— Core: V_CC= 1.8 V

— I/O: V_CCQ= 1.8 V

Device Packaging

— Ballout: QUAD+ (88 Balls)

— Area: 8x10 mm to 11x13 mm

— Height: 1.2 mm to 1.4 mm

PSRAM Performance

— 85 ns Initial Read Access;

25 ns Asynchronous Page-Mode Read

— Up to 54 MHz with 14 ns Clock-to-Data

Output Synchronous Burst-Mode Read

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP): 5 µs/byte (typ.)

— Write-buffer program: 7 µs/Byte (typ.)

Flash Architecture

— Read-While-Write/Erase

— Asymmetrical blocking structure

— 8-Mbit or 16-Mbit partition sizes

— 16-Kword parameter blocks (Top or

Bottom); 64-Kword main blocks

— 2-Kbit One-Time Programmable Protection

— Zero-latency block locking

— Absolute write protection with block lock

using F-VPP and F-WP#

Flash Software

— Numonyx™ FDI, Numonyx™ PSM, and

Numonyx™ VFM

— Common Flash Interface

— 70 ns Initial Read Access;

20 ns Asynchronous Page-Mode Read

— Up to 54 MHz with 9 ns Clock-to-Data

Synchronous Burst-Mode Reads and Writes

— Configurable 4-, 8-, 16- and Continuous-

Word Burst-Length Reads and Writes

— Partial-Array Self and Temperature-

Compensated Refresh

— Programmable Output Impedance

— Basic and Extended Flash Command Set

Quality and Reliability

— Extended Temperature –25 °C to +85 °C

— Minimum 100K Flash Block Erase cycles

— 130 nm ETOX™ VIII Flash Technology

314476-05

November 2007

12 3 4 5 6 7...68

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RD38F4050L0YUQ0	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, PBGA88,
RD38F4050L0YWQ0	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, PBGA88,
RD38F4050L0ZBQ0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, SCSP-88
RD38F4050L0ZTQ0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, SCSP-88
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