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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.49 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 30 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 6.67% |
| 工作测试电流： | 2 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RD30HFJ180C9S | STARPOWER |
获取价格 |
C9.Half Bridge |
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| RD30HUF1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W |
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| RD30HUF1_06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W |
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| RD30HUF1_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W |
|
| RD30HVF1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W |
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| RD30HVF1_10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W |
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| RD30HVF1-101 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W |
|
| RD30JB | NEC |
获取价格 |
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| RD30JS | NEC |
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DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode |
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| RD30JS | EIC |
获取价格 |
SILICON ZENER DIODES |
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