RD2.4FB1

更新时间： 2024-01-17 17:45:41

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EIC		测试二极管齐纳二极管
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Zener Diodes

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RD2.4FB1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	2.43 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	4.9%
工作测试电流：	40 mA	Base Number Matches：	1

RD2.4FB1 数据手册

SILICON ZENER DIODES

DO - 35

RD2.0E ~ RD39E

V_Z: 2.0 - 39 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

FEATURES :

0.150 (3.8)

max.

* Complete 2.0 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

min.

0.020 (0.52)max.

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

500

I_F

T_j

Forward Current

200

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 4

Rev. 02 : March 25, 2005

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