是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | POMM | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.82 |
配置: | SINGLE | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 30 Ω | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
最大功率耗散: | 400 W | 标称参考电压: | 15 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 6.1% | 工作测试电流: | 5 mA |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD15FM-T2 | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),6.1%,DO-214AC / SMA | |
RD15FM-T2-AZ | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),6.1%,DO-214AC / SMA | |
RD15FS | NEC |
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Zener Diode, 15V V(Z), 6.12%, 1W, Silicon, Unidirectional, | |
RD15FS-T2-AY | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),DO-219AB | |
RD15HVF1 | MITSUBISHI |
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Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1_08 | MITSUBISHI |
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RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1_10 | MITSUBISHI |
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Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1_11 | MITSUBISHI |
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RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1-101 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel | |
RD15HVF1-101G | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |