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RD10SB2-T1

更新时间： 2024-02-15 01:16:49
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 54K
描述
9.99V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, SUPERMINI-2

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RD10SB2-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.09配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：9.99 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：2.5%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

RD10SB2-T1 数据手册

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DATA SHEET  
ZENER DIODES  
RD2.0S to RD120S  
ZENER DIODES  
200 mW 2 PINS SUPER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
Type RD2.0S to RD120S Series are 2 PIN Super Mini  
Mold Package zener diodes possessing an allowable power  
dissipation of 200 mW.  
(in millimeter)  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeters)  
FEATURES  
•
•
Sharp Breakdown characteristic.  
Vz: Applied E24 standard.  
2.5±0.15  
1.7±0.1  
APPLICATIONS  
Circuit for Constant Voltage, Constant Current, Wave form  
Clipper, Surge absorber, etc.  
Cathode  
Indication  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Power Dissipation  
P
200 mW  
Forward Current  
IF  
100 mA  
Reverse Surge Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
85 W (at t=10 µs/1 pulse) Show Fig. 12  
150 °C  
Tstg  
–55 to +150 °C  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability  
and additional information.  
Document No. D11444EJ3V0DS00 (3rd edition)  
Date Published March 1999 N CP(K)  
Printed in Japan  
1995  
©
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD10SB2-T2 RENESAS

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