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RC48F4400P0VB0EA

更新时间： 2024-11-04 21:20:11

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
91页	983K
描述
Flash, 32MX16, PBGA64, BGA-64

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RC48F4400P0VB0EA 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.61
其他特性：	ASYNCHRONOUS READ MODE	备用内存宽度：	16
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	64
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

RC48F4400P0VB0EA 数据手册

Numonyx^TMStrataFlash^®Embedded Memory

(P30-65nm)

256-Mbit, 512-Mbit (256M/256M)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— 100 ns initial access for Easy BGA

— 110 ns initial access for TSOP

— 25 ns 16-word asynchronous-page read mode

— 52 MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options for

burst mode

— One-Time Programmable Register:

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Absolute write protection: V = V

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 2.0 MByte/s (Typ) using 512-word

buffer

— Password Access feature

Software

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

— 1.8 V buffered programming at 1.5MByte/s

(Typ) using 512-word buffer

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density

at Lowest Cost

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

Density and Packaging

— 56-Lead TSOP package (256-Mbit only)

— 64-Ball Easy BGA package (256, 512-Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (256, 512-Mbit)

— 16-bit wide data bus

— 128-KByte main blocks

— Blank Check to verify an erased block

Voltage and Power

Quality and Reliability

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

CCQ

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ X process technology

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

— Standby current: 65 µA (Typ) for 256-Mbit;

— 52 MHz continuos synchronous read current:

21mA (Typ)/24mA(Max)

Datasheet

Apr 2009

Order Number: 320002-08

12 3 4 5 6 7...91

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