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RC48F4400P0VB0E PDF预览

RC48F4400P0VB0E

更新时间： 2024-10-01 12:48:51
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存存储内存集成电路时钟
页数 文件大小 规格书
98页 1366K
描述
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

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RC48F4400P0VB0E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.57
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
其他特性：ASYNCHRONOUS READ MODE备用内存宽度：16
启动块：BOTTOM/TOP最大时钟频率 (fCLK)：52 MHz
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B64
JESD-609代码：e0长度：13 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8, 510端子数量：64
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：1.8,3/3.3 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.00042 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.031 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

RC48F4400P0VB0E 数据手册

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256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm  
Features  
Micron Parallel NOR Flash Embedded  
Memory (P30-65nm)  
JS28F256P30B/TFx, RC28F256P30B/TFx, PC28F256P30B/TFx,  
RD48F4400P0VBQEx, RC48F4400P0VB0Ex,  
PC48F4400P0VB0Ex, PF48F4000P0ZB/TQEx  
• Security  
Features  
• High performance  
– One-time programmable register: 64 OTP bits,  
programmed with unique information from Mi-  
cron; 2112 OTP bits available for customer pro-  
gramming  
– 100ns initial access for Easy BGA  
– 110ns initial access for TSOP  
– 25ns 16-word asychronous page read mode  
– 52 MHz (Easy BGA) with zero WAIT states and  
17ns clock-to-data output synchronous burst  
read mode  
– Absolute write protection: VPP = VSS  
– Power-transition erase/program lockout  
– Individual zero-latency block locking  
– Individual block lock-down  
– Password access  
• Software  
– 4-, 8-, 16-, and continuous word options for burst  
mode  
– Buffered enhanced factory programming (BEFP)  
at 2 MB/s (TYP) using a 512-word buffer  
– 1.8V buffered programming at 1.14 MB/s (TYP)  
using a 512-word buffer  
– 25μs (TYP) program suspend  
– 25μs (TYP) erase suspend  
– Flash Data Integrator optimized  
– Basic command set and extended function Inter-  
face (EFI) command set compatible  
– Common flash interface  
• Architecture  
– MLC: highest density at lowest cost  
– Asymmetrically blocked architecture  
– Four 32KB parameter blocks: top or bottom con-  
figuration  
– 128KB main blocks  
– Blank check to verify an erased block  
• Voltage and power  
• Density and Packaging  
– 56-lead TSOP package (256Mb only)  
– 64-ball Easy BGA package (256Mb, 512Mb)  
– QUAD+ and SCSP packages (256Mb, 512Mb)  
– 16-bit wide data bus  
• Quality and reliabilty  
– VCC (core) voltage: 1.7V to 2.0V  
– VCCQ (I/O) voltage: 1.7V to 3.6V  
– Standy current: 65µA (TYP) for 256Mb  
– 52 MHz continuous synchronous read current:  
21mA (TYP), 24mA (MAX)  
– JESD47 compliant  
– Operating temperature: –40°C to +85°C  
– Minimum 100,000 ERASE cycles per block  
– 65nm process technology  
PDF: 09005aef84566799  
p30_65nm_MLC_256Mb-512mb.pdf - Rev. C 12/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与RC48F4400P0VB0E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RC48F4400P0VB0EA NUMONYX

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 		Flash, 32MX16, PBGA64, BGA-64
RC48F4400P0VB0EA MICRON

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 		1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
RC48F4400P0VB0EJ MICRON

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 		256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
RC48F4400P0VT00 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F4400P0VT00A INTEL

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 		暂无描述
RC48F4400P0VT00A MICRON

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 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC48F4400P0X1B0 NUMONYX

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 		StrataFlash㈢ Cellular Memory
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