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RC48F4400P0TB0EA PDF预览

RC48F4400P0TB0EA

更新时间： 2024-11-05 15:17:43
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
92页 1219K
描述
2.3V to 3.6V VCC (core) voltage, 2.3V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage

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RC48F4400P0TB0EA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA-64
针数：64Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.54最长访问时间：95 ns
其他特性：ASYNCHRONOUS READ MODE启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e0
长度：13 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：64
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：235
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD SILVER
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

RC48F4400P0TB0EA 数据手册

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256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb),  
P33-65nm  
Features  
Micron Parallel NOR Flash Embedded  
Memory (P33-65nm)  
RC28F256P33TFE, RC28F256P33BFE, RC28F256P33BFF,  
PC28F256P33TFE, PC28F256P33BFE, PC28F256P33BFF,  
PC28F256P33BFR, RC48F4400P0TB0EJ, PC48F4400P0TB0EE,  
PC48F4400P0TB0EH, JS28F256P33TFE, JS28F256P33BFE  
• Security  
Features  
• High performance  
– One-time programmable register: 64 OTP bits,  
programmed with unique information from Mi-  
cron; 2112 OTP bits available for customer pro-  
gramming  
– 95ns initial access for Easy BGA  
– 105ns initial access for TSOP  
– 25ns 16-word asychronous page read mode  
– 52 MHz (Easy BGA) with zero WAIT states and  
17ns clock-to-data output synchronous burst  
read mode  
– Absolute write protection: VPP = VSS  
– Power-transition erase/program lockout  
– Individual zero-latency block locking  
– Individual block lock-down  
– Password access  
• Software  
– 4-, 8-, 16-, and continuous word options for burst  
mode  
– Buffered enhanced factory programming (BEFP)  
at 2 MB/s (TYP) using a 512-word buffer  
– 3.0V buffered programming at 1.14 MB/s (TYP)  
using a 512-word buffer  
– 25µs (TYP) program suspend  
– 25µs (TYP) erase suspend  
– Flash Data Integrator optimized  
– Basic command set and extended function Inter-  
face (EFI) command set compatible  
– Common flash interface  
• Architecture  
– MLC: highest density at lowest cost  
– Asymmetrically blocked architecture  
– Four 32KB parameter blocks: top or bottom con-  
figuration  
– 128KB main blocks  
– Blank check to verify an erased block  
• Voltage and power  
• Density and Packaging  
– 56-lead TSOP package (256Mb only)  
– 64-ball Easy BGA package (256Mb, 512Mb)  
– QUAD+ and SCSP packages (256Mb, 512Mb)  
– 16-bit wide data bus  
• Quality and reliabilty  
– VCC (core) voltage: 2.3V to 3.6V  
– VCCQ (I/O) voltage: 2.3V to 3.6V  
– Standy current: 65µA (TYP) for 256Mb  
– 52 MHz continuous synchronous read current:  
21mA (TYP), 24mA (MAX)  
– JESD47 compliant  
– Operating temperature: –40°C to +85°C  
– Minimum 100,000 ERASE cycles per block  
– 65nm process technology  
PDF: 09005aef845667ad  
p33_65nm_MLC_256Mb-512mb.pdf - Rev. D 2/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与RC48F4400P0TB0EA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RC48F4400P0TB0EJ MICRON

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 		2.3V to 3.6V VCC (core) voltage, 2.3V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
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