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RC48F4400P0TB00 PDF预览

RC48F4400P0TB00

更新时间： 2024-11-04 21:21:31
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
96页 1378K
描述
Flash, 32MX16, 85ns, PBGA64, BGA-64

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RC48F4400P0TB00 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40
针数：64Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.76最长访问时间：85 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B64
长度：10 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
部门数/规模：8, 510端子数量：64
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：4 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.5/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.00039 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.028 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

RC48F4400P0TB00 数据手册

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®
Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory  
(P33)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Security:  
— 85 ns initial access  
— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 25 ns asynchronous-page read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst  
mode  
— Buffered Enhanced Factory Programming  
(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)  
— 3.0 V buffered programming at 7 µs/byte  
(Typ)  
— One-Time Programmable Registers:  
— 64 unique factory device identifier bits  
— 2112 user-programmable OTP bits  
— Selectable OTP space in Main Array:  
— Four pre-defined 128-KByte blocks (top or  
bottom configuration).  
— Up to Full Array OTP Lockout  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
„ Software:  
„ Architecture:  
— Multi-Level Cell Technology: Highest  
Density at Lowest Cost  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— 128-KByte main blocks  
— 20 µs (Typ) program suspend  
— 20 µs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended  
Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
„ Voltage and Power:  
„ Density and Packaging  
— VCC (core) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— VCCQ (I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— Standby current: 35µA (Typ) for 64-Mbit  
— 4-Word synchronous read current:  
16 mA (Typ) at 52MHz  
— 56-Lead TSOP package (64, 128, 256, 512-  
Mbit)  
— 64-Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,  
128, 256, 512-Mbit)  
— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,  
512-Mbit)  
— 16-bit wide data bus  
„ Quality and Reliability  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ VIII process technology  
314749-05  
November 2007  
1234567...96

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与RC48F4400P0TB00相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RC48F4400P0TB00A MICRON

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 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC48F4400P0TB0EA MICRON

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 		2.3V to 3.6V VCC (core) voltage, 2.3V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
RC48F4400P0TB0EJ MICRON

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 		2.3V to 3.6V VCC (core) voltage, 2.3V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
RC48F4400P0TBB0 NUMONYX

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