RC48F3300J0Z00S

更新时间： 2024-11-04 03:37:43

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存
页数	文件大小	规格书
68页	913K
描述
Numonyx Embedded Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RC48F3300J0Z00S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LEAD FREE, BGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.8	最长访问时间：	95 ns
备用内存宽度：	8	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	部门数/规模：	256
端子数量：	64	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA64,8X8,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
页面大小：	4/8 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.3 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00012 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

RC48F3300J0Z00S 数据手册

Numonyx™ Embedded Flash Memory

(J3 v. D)

32, 64, 128, and 256 Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— High-density symmetrical 128-Kbyte blocks

— 256 Mbit (256 blocks)

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— 32 Mbit (32 blocks)

Performance

— Enhanced security options for code

protection

— 128-bit Protection Register

— 64-bit Unique device identifier

— 64-bit User-programmable OTP cells

— Absolute protection with V_PEN= GND

— Individual block locking

— Block erase/program lockout during power

transitions

— 75 ns Initial Access Speed (128/64/32

-Mbit densities)

— 95 ns Initial Access Speed (256 Mbit only)

— 25 ns 8-word and 4-word Asynchronous

page-mode reads

Software

— Program and erase suspend support

— 32-Byte Write buffer

— 4 µs per Byte Effective programming time

— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash

Interface (CFI) Compatible

Quality and Reliability

System Voltage and Power

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 0.13 µm ETOX™ VIII Process

— 56-Lead TSOP package (32, 64, 128 Mbit

only)

— 64-Ball Numonyx Easy BGA package (32,

42, 128 and 256 Mbit)

308551-05

November 2007

12 3 4 5 6 7...68

中文翻译

下载PDF

与RC48F3300J0Z00S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RC48F3300J0Z00SA	NUMONYX	获取价格	暂无描述
RC48F3P0VB00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F3P0VBQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F3P0VT00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F3P0VTQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F3P0ZB00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F3P0ZBQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F3P0ZT00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F3P0ZTQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC48F4400P0T1B0	NUMONYX	获取价格	StrataFlash㈢ Cellular Memory

与RC48F3300J0Z00S相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

34
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RC48F3300J0Z00S

RC48F3300J0Z00S 技术参数

RC48F3300J0Z00S 数据手册

与RC48F3300J0Z00S相关器件

与RC48F3300J0Z00S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RC48F3300J0Z00S

RC48F3300J0Z00S 技术参数

RC48F3300J0Z00S 数据手册

与RC48F3300J0Z00S相关器件

与RC48F3300J0Z00S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？