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RC3B2V3

更新时间： 2024-11-21 15:49:19
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

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RC3B2V3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.07 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RC3B2V3 数据手册

 浏览型号RC3B2V3的Datasheet PDF文件第2页 
Damper Diodes (For Display)  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Parameter  
trr  
trr  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
➀
➁
Rth (j-  
)
Mass  
(g)  
(µs)  
(µs)  
(µA)  
IF (AV)  
(A)  
VRM  
(V)  
Fig. Remarks  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
100°C max  
IF  
(A)  
IF  
/
IRP  
IF  
/IRP  
max  
(°C/ W)  
Ta  
=
(mA)  
(mA)  
2.0 5.0  
1.8  
500  
0.7  
1.2  
5.0  
FMP-G2FS  
FMQ-G2FLS  
FMQ-G2FS  
FMQ-G5FMS  
FMQ-G5GS  
FMP-G5HS  
RG 2A2  
0.3  
0.4  
4.0  
2.1  
6.5  
A
B
500  
(Tj=150°C)  
1500  
50  
2.8  
10.0  
2.4  
–40 to +150  
50  
500/1000  
10.0  
500/500  
0.5  
1.0  
0.2  
500  
250  
500  
100  
25  
1700  
1800  
1300  
1600  
2.7  
2.0  
8.0  
0.5  
1.0  
2.0 8.0  
3.5 0.5  
3.6 1.0  
0.4  
5
12.0  
0.6  
1.0  
0.1 100/100 0.05 100/200  
C
D
For  
Compen-  
sation  
–40 to +150  
100  
20  
0.07  
500/500 0.035 500/1000 10.0  
RC 3B2  
FMP-G2FS  
IF(AV)—P F(AV) Characteristics  
VF—IF Characteristics (Typical)  
Tc —IF(AV) Derating  
IFMS Rating  
20  
10  
20  
16  
12  
5
4
3
2
50  
40  
30  
20  
10  
0
Tj=150ºC  
D.C.  
t
T
20ms  
=
t / T 1/6  
=
t / T 1/2  
1
0.1  
=
t / T 1/ 3, Sinewave  
t / T=1/ 3, Sinewave  
=
8
4
0
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
=
t / T 1/6  
0.01  
1
0
=
t / T 1/2  
25ºC  
D.C.  
0.001  
0
1
2
3
4
5
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
70  
90  
110  
130  
150  
1
1
1
5
10  
50  
50  
50  
Average Forward Current IF(AV) (A)  
Forward Voltage VF (V)  
Case Temperature Tc (°C)  
Overcurrent Cycles  
FMQ-G2FLS  
Tc —IF(AV) Derating  
IF(AV)—P F(AV) Characteristics  
IFMS Rating  
10  
30  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Tj=150ºC  
t /T=1/ 3  
t /T=1/2  
DC  
t
25  
20ms  
T
8
6
4
2
0
t /T=1/6  
t / T=1/6  
Sinewave  
20  
15  
10  
Sinewave  
t /T=1/ 3  
t / T=1/2  
5
0
DC  
0
2
4
6
8
10  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
5
10  
Case Temperature Tc (°C)  
Average Forward Current IF(AV) (A)  
Overcurrent Cycles  
FMQ-G2FS  
IF(AV)—P F(AV) Characteristics  
Tc —IF(AV) Derating  
IFMS Rating  
10  
8
40  
30  
20  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Tj=150ºC  
D.C.  
t / T=1/6  
20ms  
t
T
t /T=1/6  
t /T=1/3, Sinewave  
t / T=1/2  
6
t /T=1/3, Sinewave  
4
10  
0
2
0
D.C.  
t /T=1/2  
0
2
4
6
8
10  
0
40  
80  
120  
160  
5
10  
Average Forward Current IF(AV) (A)  
Case Temperature Tc (°C)  
Overcurrent Cycles  
5.5 ±0.2  
External Dimensions  
Fig.  
A
10.0  
Fig.  
Fig.  
Fig.  
D
B
C
15.6±0.2  
4.2  
2.8  
(Unit: mm) (Full-mold)  
3.3  
3.45±0.2  
0.98 ±0.05  
1.2 ±0.05  
3.3  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
2.2  
2.6  
1.75 ±1.75  
0.8  
1.35  
0.85  
4.0 ±0.2  
1.05 +–00..12  
5.45  
0.65 +–00..12  
3.35  
5.2±0.2  
0.45  
5.08  
5.45  
74  
12

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