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RC28F800F3B95

更新时间： 2024-01-13 20:37:07
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 335K
描述
Flash, 512KX16, 95ns, PBGA64, BGA-64

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RC28F800F3B95 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40
针数：64Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.87最长访问时间：95 ns
其他特性：MIN 100,000 BLOCK ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B64长度：13 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：1
功能数量：1部门数/规模：8,15
端子数量：64字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：1.8/3.6,3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.000075 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

RC28F800F3B95 数据手册

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3 Volt Fast Boot Block Flash Memory  
28F800F3 and 28F160F3  
Product Features  
■ High Performance  
■ Supports Code Plus Data Storage  
—Up to 60 MHz Effective Zero Wait-State  
Performance  
—Synchronous Burst-Mode Reads  
—Asynchronous Page-Mode Reads  
■ SmartVoltage Technology  
—Optimized for Intel® Flash Data  
Integrator (IFDI) and other Intel®  
Software  
—Fast Program Suspend Capability  
—Fast Erase Suspend Capability  
■ Flexible Blocking Architecture  
—Eight 4-Kword Blocks for Data  
—32-Kword Main Blocks for Code  
—Top or Bottom Boot Configurations  
■ Extended Cycling Capability  
—2.7 V−3.6 V Read and Write Operations  
for Low Power Designs  
—12 V VPP Fast Factory Programming  
■ Flexible I/O Voltage  
—1.65 V I/O Reduces Overall System  
Power Consumption  
—Minimum 100,000 Block Erase Cycles  
■ Low Power Consumption  
■ 5 V-Safe I/O Enables Interfacing to  
5 V Devices  
—Automatic Power Savings Mode  
Decreases Power Consumption  
■ Enhanced Data Protection  
—Absolute Write Protection with  
VPP = GND  
■ Automated Program and Block Erase  
Algorithms  
—Block Locking  
—Block Erase/Program Lockout during  
Power Transitions  
—Command User Interface for  
Automation  
—Status Register for System Feedback  
■ Industry-Standard Packaging  
—56-Lead SSOP  
■ Density Upgrade Path  
—8 and 16 Mbit  
■ Manufactured on ETOX™ V Flash  
—56-Lead TSOP  
Technology  
—µBGA* CSP  
—Intel® Easy BGA  
Intel® 3 Volt Fast Boot Block Flash memory offers the highest performance synchronous burst  
reads—making it an ideal memory solution for burst CPUs. The Intel 3 Volt Fast Boot Block  
Flash memory also supports asynchronous page mode operation for non-clocked memory  
subsystems. Combining high read performance with the intrinsic nonvolatility of flash memory  
eliminates the traditional redundant memory paradigm of shadowing code from a slower  
nonvolatile storage source to a faster execution memory device, (e.g., SRAM SDRAM), for  
improved system performance. By adding 3 Volt Fast Boot Block Flash memory to your system  
you could reduce the total memory requirement, which helps increase reliability and reduce  
overall system power consumption—all while reducing system cost.  
This family of products is manufactured on Intel® 0.4 µm ETOX™ V process technology. They  
are available in a wide variety of industry-standard packaging technologies.  
Notice: This document contains information on products in full production. The specifications  
are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that you have the lat-  
est datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 290644-005  
January 2000  
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