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RC28F800C3TD70

更新时间： 2024-01-07 03:29:37

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英特尔 - INTEL		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
68页	1132K
描述
Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)

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RC28F800C3TD70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LEAD FREE, BGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,15	端子数量：	64
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.018 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

RC28F800C3TD70 数据手册

Intel Advanced+ Boot Block Flash

Memory (C3)

28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16)

Datasheet

Product Features

■ Flexible SmartVoltage Technology

—2.7 V– 3.6 V Read/Program/Erase

—12 V for Fast Production Programming

■ 128-bit Protection Register

—64 bit Unique Device Identifier

—64 bit User Programmable OTP Cells

■ 1.65 V–2.5 V or 2.7 V–3.6 V I/O Option

■ Extended Cycling Capability

—Minimum 100,000 Block Erase Cycles

—Reduces Overall System Power

■ Software

■ High Performance

—Intel^®Flash Data Integrator (FDI)

—Supports Top or Bottom Boot Storage,

Streaming Data (e.g., voice)

—Intel Basic Command Set

—Common Flash Interface (CFI)

—2.7 V– 3.6 V: 70 ns Max Access Time

■ Optimized Architecture for Code Plus

Data Storage

—Eight 4 Kword Blocks, Top or Bottom

Parameter Boot

■ Standard Surface Mount Packaging

—48-Ball µBGA*/VFBGA

—Up to One Hundred-Twenty-Seven 32

Kword Blocks

—Fast Program Suspend Capability

—Fast Erase Suspend Capability

—64-Ball Easy BGA Packages

—48-Lead TSOP Package

■ ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash

■ Flexible Block Locking

Technology

—Lock/Unlock Any Block

—Full Protection on Power-Up

—WP# Pin for Hardware Block Protection

—16, 32 Mbit

■ ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology

—16, 32, 64 Mbit

■ Low Power Consumption

—9 mA Typical Read

■ ETOX™ VI (0.25 µm) Flash Technology

—8, 16 and 32 Mbit

—7 A Typical Standby with Automatic

Power Savings Feature (APS)

■ Extended Temperature Operation

—–40 °C to +85 °C

The Intel^®Advanced+ Book Block Flash Memory (C3) device, manufactured on Intel’s latest

0.13 µm and 0.18 µm technologies, represents a feature-rich solution for low-power applications.

The C3 device incorporates low-voltage capability (3 V read, program, and erase) with high-

speed, low-power operation. Flexible block locking allows any block to be independently locked

or unlocked. Add to this the Intel^®Flash Data Integrator (FDI) software and you have a cost-

effective, flexible, monolithic code plus data storage solution. Intel^®Advanced+ Boot Block Flash

Memory (C3) products will be available in 48-lead TSOP, 48-ball CSP, and 64-ball Easy BGA

packages. Additional information on this product family can be obtained by accessing the Intel^®

Flash website: http://www.intel.com/design/flash.

Notice: This specification is subject to change without notice. Verify with your local Intel sales

office that you have the latest datasheet before finalizing a design.

Order Number: 290645-017

October 2003

12 3 4 5 6 7...68

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RC28F800F3B95	INTEL	获取价格	Flash, 512KX16, 95ns, PBGA64, BGA-64
RC2951	FAIRCHILD	获取价格	Adjustable Micropower Voltage Regulator
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RC2951M-3.3	ETC	获取价格	Fixed & Adjustable Voltage Regulator
RC2951M33	FAIRCHILD	获取价格	VOLT REGULATOR\|FIXED/ADJUSTABLE\|+3.3/+1.24 TO 29V\|BIPOLAR\|SOP\|8PIN\|PLASTIC
RC2951MT	FAIRCHILD	获取价格	VOLT REGULATOR\|FIXED/ADJUSTABLE\|+5V/+1.24 TO +29V\|BIPOLAR\|SOP\|8PIN\|PLASTIC
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