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RC28F512M29EWL

更新时间： 2024-10-01 20:48:23

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
117页	1214K
描述
Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64

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RC28F512M29EWL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.61	最长访问时间：	100 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	512
端子数量：	64	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA64,8X8,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
页面大小：	16/32 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.4 mm	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.000225 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.031 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

RC28F512M29EWL 数据手册

Numonyx™ Axcell™ M29EW

Datasheet

256-Mbit, 512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit (x8/x16, uniform block)

3 V supply flash memory

Features

Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write

Supply voltage

to Buffer

— V_CC= 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and

Read

— V_CCQ= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers

Asynchronous Random/Page Read

— Page size: 16 words or 32 bytes

— Page access: 25 ns

— Faster Buffered/Batch Programming

— Faster Block and Chip Erase

Vpp/WP# pin protection

— Protects first or last block regardless of

block protection settings

Software protection

— Volatile Protection

— Random access: 100ns (Fortified BGA);

110 ns (TSOP)

— Non-Volatile Protection

— Password Protection

— Password Access

Buffer Program

— 512-word program buffer

Programming time

— 0.68 µs per byte (1.48MB/s) typical when

using full buffer size in buffer program

Memory organization

— Uniform blocks, 128 Kbytes/64 Kwords

each

Program/Erase controller

— Embedded byte/word program algorithms

Program/ Erase Suspend and Resume

Extended Memory block

— 128-word/256-byte block for permanent,

secure identification.

— can be programmed and locked by factory

or by the customer

Low power consumption

— Standby and automatic standby

Minimum 100,000 Program/Erase cycles per

block

— Read from any block during Program

Suspend

— Read and Program another block during

Erase Suspend

ETOX^TM* X (65nm) MLC technology

Fortified BGA and TSOP packages

Green packages available

— RoHS Compliant

— Halogen Free

November 2009

208045-07

12 3 4 5 6 7...117

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