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RC28F512M29EWHB PDF预览

RC28F512M29EWHB

更新时间： 2024-01-29 20:57:21
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
75页 855K
描述
Parallel NOR Flash Embedded Memory

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RC28F512M29EWHB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64针数：64
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.66
最长访问时间：100 ns备用内存宽度：8
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B64
JESD-609代码：e0长度：13 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：512端子数量：64
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE页面大小：16/32 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：235
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.4 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.000225 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.031 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD SILVER
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11 mmBase Number Matches：1

RC28F512M29EWHB 数据手册

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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
JS28F256M29EWxx, PC28F256M29EWxx, RC28F256M29EWxx  
JS28F512M29EWxx, PC28F512M29EWxx, RC28F512M29EWxx  
JS28F00AM29EWxx, PC28F00AM29EWxx, RC28F00AM29EWxx  
PC28F00BM29EWxx, RC28F00BM29EWxx  
• VPP/WP# pin protection  
– Protects first or last block regardless of block  
protection settings  
• Software protection  
Features  
• 2Gb = stacked device (two 1Gb die)  
• Supply voltage  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
• Asynchronous random/page read  
– Page size: 16 words or 32 bytes  
– Page access: 25ns  
– Random access: 100ns (Fortified BGA);  
110ns (TSOP)  
• Buffer program: 512-word program buffer  
• Program time  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Password protection  
– Password access  
• Extended memory block  
– 128-word (256-byte) block for permanent, secure  
identification  
– Programmed or locked at the factory or by the  
customer  
– 0.88µs per byte (1.14 MB/s) TYP when using full  
512-word buffer size in buffer program  
• Memory organization  
– Uniform blocks: 128-Kbytes or 64-Kwords each  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– Read from any block during a PROGRAM SUS-  
PEND operation  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
• Low power consumption: Standby mode  
• JESD47H-compliant  
– 100,000 minimum ERASE cycles per block  
– Data retention: 20 years (TYP)  
• 65nm multilevel cell (MLC) process technology  
• Fortified BGA and TSOP packages  
• Green packages available  
– RoHS-compliant  
– Halogen-free  
• Operating temperature  
– Ambient: –40°C to +85°C  
• BLANK CHECK operation to verify an erased block  
• Unlock bypass, block erase, chip erase, and write to  
buffer capability  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block/chip erase  
PDF: 09005aef849b4b09  
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与RC28F512M29EWHB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RC28F512M29EWL NUMONYX

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 		Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64
RC28F512M29EWLA MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
RC28F640C3BA70 INTEL

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 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
RC28F640C3BC70 INTEL

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 		Flash, 4MX16, 100ns, PBGA64, BGA-64
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