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RC28F256P33TF

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
86页 778K
描述
Flash, 16MX16, 95ns, PBGA64, BGA-64

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RC28F256P33TF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：BGA-64
针数：64Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.43最长访问时间：95 ns
其他特性：ASYNCHRONOUS READ MODE启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B64
长度：13 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：4,255
端子数量：64字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：2.5/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.00021 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.031 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

RC28F256P33TF 数据手册

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NumonyxTM StrataFlash® Embedded Memory  
(P33-65nm)  
256-Mbit, 512-Mbit (256M/256M)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Security:  
— 95ns initial access time for Easy BGA  
— 105ns initial access time for TSOP  
— 25ns 16-word asynchronous-page read  
mode  
— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options  
for burst mode  
— One-Time Programmable Registers:  
— 64 unique factory device identifier bits  
— 2112 user-programmable OTP bits  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
— Password Access feature  
— Buffered Enhanced Factory Programming at  
2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer  
— 3.0V buffered programming at 1.5MByte/s  
(Typ) using 512-word buffer  
„ Software:  
— 20µs (Typ) program suspend  
— 20µs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
„ Architecture:  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
„ Density and Packaging  
— Multi-Level Cell Technology: Highest  
Density at Lowest Cost  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— 128-KByte main blocks  
— 56-Lead TSOP package (256-Mbit only)  
— 64-Ball Easy BGA package (256, 512-Mbit)  
— 16-bit wide data bus  
— Blank Check to verify an erase block  
„ Voltage and Power:  
„ Quality and Reliability  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— 65nm ETOX™ X process technology  
— VCC (core) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— VCCQ (I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— Standby current: 65uA (Typ) for 256-Mbit  
— Continuous synchronous read current: 21  
mA (Typ)/24 mA (Max) at 52 MHz  
Datasheet  
1
Apr 2009  
Order Number: 320003-07  
1234567...86

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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