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RC28F256P33T85B

更新时间： 2024-09-29 15:18:11

品牌	Logo	应用领域
镁光 - MICRON		/
页数	文件大小	规格书
96页	1378K
描述
64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory

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RC28F256P33T85B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.53	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	64
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	235
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

RC28F256P33T85B 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P33)

Datasheet

Product Features

High performance:

Security:

— 85 ns initial access

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst

mode

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)

— 3.0 V buffered programming at 7 µs/byte

(Typ)

— One-Time Programmable Registers:

— 64 unique factory device identifier bits

— 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP space in Main Array:

— Four pre-defined 128-KByte blocks (top or

bottom configuration).

— Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

Software:

Architecture:

— Multi-Level Cell Technology: Highest

Density at Lowest Cost

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

Voltage and Power:

Density and Packaging

— V_CC(core) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— V_CCQ(I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— Standby current: 35µA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

16 mA (Typ) at 52MHz

— 56-Lead TSOP package (64, 128, 256, 512-

Mbit)

— 64-Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512-Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512-Mbit)

— 16-bit wide data bus

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

314749-05

November 2007

12 3 4 5 6 7...96

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RC28F256P33TFA	MICRON	获取价格	2.3V to 3.6V VCC (core) voltage, 2.3V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
RC28F256P33TFE	MICRON	获取价格	2.3V to 3.6V VCC (core) voltage, 2.3V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
RC28F320C3	INTEL	获取价格	3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
RC28F320C3BA100	INTEL	获取价格	Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
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