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RC28F256P30B85B

更新时间： 2024-09-28 15:18:23

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镁光 - MICRON		/
页数	文件大小	规格书
97页	1227K
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64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory

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RC28F256P30B85B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.9
最长访问时间：	85 ns	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	S-PBGA-B64
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	4,255
端子数量：	64	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	页面大小：	4 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8,1.8/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.000115 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.051 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

RC28F256P30B85B 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P30)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom

configuration)

— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output

synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/

byte (Typ)

• Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V = V

— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest

Cost

Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom

configuration

— 20 μs (Typ) program suspend

— 20 μs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command Set

compatible

— 128-KByte main blocks

Voltage and Power

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— Common Flash Interface capable

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

CCQ

Density and Packaging

— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,

512- Mbit)

— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512- Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512- Mbit)

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

— 16-bit wide data bus

306666-12

August 2008

12 3 4 5 6 7...97

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RC28F256P30BFA	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
RC28F256P30BFE	MICRON	获取价格	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
RC28F256P30T85	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
RC28F256P30T85	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC28F256P30T85A	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, BGA-64
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RC28F256P30T85B	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 88ns, PBGA64, BGA-64
RC28F256P30T85B	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F256P30TFA	MICRON	获取价格	1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage

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