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RC28F256M29EWLA

更新时间： 2024-02-15 15:16:27

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
117页	1214K
描述
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64

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RC28F256M29EWLA 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM/TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	64	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

RC28F256M29EWLA 数据手册

Numonyx™ Axcell™ M29EW

Datasheet

256-Mbit, 512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit (x8/x16, uniform block)

3 V supply flash memory

Features

Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write

Supply voltage

to Buffer

— V_CC= 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and

Read

— V_CCQ= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers

Asynchronous Random/Page Read

— Page size: 16 words or 32 bytes

— Page access: 25 ns

— Faster Buffered/Batch Programming

— Faster Block and Chip Erase

Vpp/WP# pin protection

— Protects first or last block regardless of

block protection settings

Software protection

— Volatile Protection

— Random access: 100ns (Fortified BGA);

110 ns (TSOP)

— Non-Volatile Protection

— Password Protection

— Password Access

Buffer Program

— 512-word program buffer

Programming time

— 0.68 µs per byte (1.48MB/s) typical when

using full buffer size in buffer program

Memory organization

— Uniform blocks, 128 Kbytes/64 Kwords

each

Program/Erase controller

— Embedded byte/word program algorithms

Program/ Erase Suspend and Resume

Extended Memory block

— 128-word/256-byte block for permanent,

secure identification.

— can be programmed and locked by factory

or by the customer

Low power consumption

— Standby and automatic standby

Minimum 100,000 Program/Erase cycles per

block

— Read from any block during Program

Suspend

— Read and Program another block during

Erase Suspend

ETOX^TM* X (65nm) MLC technology

Fortified BGA and TSOP packages

Green packages available

— RoHS Compliant

— Halogen Free

November 2009

208045-07

12 3 4 5 6 7...117

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RC28F256P30B85	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC28F256P30B85	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
RC28F256P30B85A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F256P30B85B	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F256P30B85D	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RC28F256P30BFA	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
RC28F256P30BFE	MICRON	获取价格	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
RC28F256P30T85	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
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