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RC28F256J3F95A

更新时间： 2024-11-30 15:16:35

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镁光 - MICRON		/
页数	文件大小	规格书
66页	711K
描述
256Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash

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RC28F256J3F95A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.41
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	95 ns
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
JESD-609代码：	e0	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	64	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	235	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD SILVER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

RC28F256J3F95A 数据手册

Numonyx™ StrataFlash^®Embedded Memory

(J3-65nm)

256-Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Multi-Level Cell Technology: Highest

Density at Lowest Cost

— Enhanced security options for code

protection

— 256 symmetrically-sized blocks of 128

Kbytes

Performance

— Absolute protection with V_PEN= GND

— Individual block locking

— Block erase/program lockout during power

transition

— 95 ns initial access time for Easy BGA

— 105 ns initial accsss time for TSOP

— Password Access feature

— 25 ns 16-word Asynchronous page-mode

reads

— 512-Word Buffer Programming at

1.46MByte/s (Typ)

— One-Time Programmable Register:

64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

64 OTP bits, available for customer

programming

Software

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator (FDI)

— Common Flash Interface (CFI) Compatible

Packaging

Voltage and Power

— V_CC(Core) = 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ(I/O) = 2.7 V to 3.6 V

— Standby Current: 65 µA (Typ)

— Erase & Program Current: 35 mA (Typ)

— Page Read: 12 mA (Typ)

Quality and Reliability

— 56-Lead TSOP

— 64-Ball Easy BGA package

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 65 nm Numonyx^TMETOX™ X Process

technology

319942-02

December 2008

12 3 4 5 6 7...66

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RC28F256J3F95A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RC28F256J3D95A	MICRON	完全替代	32Mb, 64Mb, 128Mb, 256Mb Monolithic Embedded Parallel NOR Flash Memory
PC28F256J3F95A	MICRON	完全替代	256Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash
RC28F256P33BFE	MICRON	类似代替	2.3V to 3.6V VCC (core) voltage, 2.3V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage

与RC28F256J3F95A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RC28F256K18C120	INTEL	获取价格	Flash, 16MX16, 120ns, PBGA64, 1 MM PITCH, BGA-64
RC28F256M29EWHA	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
RC28F256M29EWHA	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64
RC28F256M29EWHB	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
RC28F256M29EWLA	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
RC28F256M29EWLA	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64
RC28F256P30B	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
RC28F256P30B85	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RC28F256P30B85	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
RC28F256P30B85A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory

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