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RC28F00BM29EWL

更新时间： 2024-11-06 20:48:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
117页 1214K
描述
Flash, 128MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64

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RC28F00BM29EWL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64针数：64
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.66
最长访问时间：100 ns备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM/TOPJESD-30 代码：R-PBGA-B64
长度：13 mm内存密度：2147483648 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：64
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM类型：NOR TYPE
宽度：11 mmBase Number Matches：1

RC28F00BM29EWL 数据手册

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Numonyx™ Axcell™ M29EW  
Datasheet  
256-Mbit, 512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit (x8/x16, uniform block)  
3 V supply flash memory  
Features  
„ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
„ Supply voltage  
to Buffer  
— VCC = 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and  
Read  
— VCCQ = 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
„ Asynchronous Random/Page Read  
— Page size: 16 words or 32 bytes  
— Page access: 25 ns  
— Faster Buffered/Batch Programming  
— Faster Block and Chip Erase  
„ Vpp/WP# pin protection  
— Protects first or last block regardless of  
block protection settings  
„ Software protection  
— Volatile Protection  
— Random access: 100ns (Fortified BGA);  
110 ns (TSOP)  
— Non-Volatile Protection  
— Password Protection  
— Password Access  
„ Buffer Program  
— 512-word program buffer  
„ Programming time  
— 0.68 µs per byte (1.48MB/s) typical when  
using full buffer size in buffer program  
„ Memory organization  
— Uniform blocks, 128 Kbytes/64 Kwords  
each  
„ Program/Erase controller  
— Embedded byte/word program algorithms  
„ Program/ Erase Suspend and Resume  
„ Extended Memory block  
— 128-word/256-byte block for permanent,  
secure identification.  
— can be programmed and locked by factory  
or by the customer  
„ Low power consumption  
— Standby and automatic standby  
„ Minimum 100,000 Program/Erase cycles per  
block  
— Read from any block during Program  
Suspend  
— Read and Program another block during  
Erase Suspend  
„ ETOXTM* X (65nm) MLC technology  
„ Fortified BGA and TSOP packages  
„ Green packages available  
— RoHS Compliant  
— Halogen Free  
November 2009  
208045-07  
1
1234567...117

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