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RC28F00AM29EWH

更新时间： 2024-09-16 20:48:23

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
117页	1214K
描述
Flash, 64MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64

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RC28F00AM29EWH 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.4
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM/TOP	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	64
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

RC28F00AM29EWH 数据手册

Numonyx™ Axcell™ M29EW

Datasheet

256-Mbit, 512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit (x8/x16, uniform block)

3 V supply flash memory

Features

Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write

Supply voltage

to Buffer

— V_CC= 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and

Read

— V_CCQ= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers

Asynchronous Random/Page Read

— Page size: 16 words or 32 bytes

— Page access: 25 ns

— Faster Buffered/Batch Programming

— Faster Block and Chip Erase

Vpp/WP# pin protection

— Protects first or last block regardless of

block protection settings

Software protection

— Volatile Protection

— Random access: 100ns (Fortified BGA);

110 ns (TSOP)

— Non-Volatile Protection

— Password Protection

— Password Access

Buffer Program

— 512-word program buffer

Programming time

— 0.68 µs per byte (1.48MB/s) typical when

using full buffer size in buffer program

Memory organization

— Uniform blocks, 128 Kbytes/64 Kwords

each

Program/Erase controller

— Embedded byte/word program algorithms

Program/ Erase Suspend and Resume

Extended Memory block

— 128-word/256-byte block for permanent,

secure identification.

— can be programmed and locked by factory

or by the customer

Low power consumption

— Standby and automatic standby

Minimum 100,000 Program/Erase cycles per

block

— Read from any block during Program

Suspend

— Read and Program another block during

Erase Suspend

ETOX^TM* X (65nm) MLC technology

Fortified BGA and TSOP packages

Green packages available

— RoHS Compliant

— Halogen Free

November 2009

208045-07

12 3 4 5 6 7...117

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RC28F00AM29EWHA	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
RC28F00AM29EWHB	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
RC28F00AM29EWLA	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
RC28F00AP30BF	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
RC28F00AP30BFA	MICRON	获取价格	65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF
RC28F00AP30TF	MICRON	获取价格	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
RC28F00AP30TFA	MICRON	获取价格	65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF
RC28F00BM29EWH	NUMONYX	获取价格	Flash, 128MX16, 100ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, BGA-64
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