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RBV-4102

更新时间: 2024-02-29 18:20:08
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三垦 - SANKEN 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
200V 10A Bridge Diode

RBV-4102 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

RBV-4102 数据手册

  
Bridge Diode  
200V 10A  
RBV-4102  
 Absolute maximum ratings  
 Electrical characteristics  
Parameter  
VRSM  
VRM  
Ratings  
Unit  
Conditions  
Parameter  
Ratings  
1.1max  
10max  
Unit  
Conditions  
250  
V
VF  
V
Tj=25°C, I =5A, per element  
F
200  
V
IR  
µA  
µA  
Tj=25°C, V =V  
, per element  
Tj=150°C V =V per element  
, R RM,  
R
RM  
IF(AV)  
IFSM  
10  
A
H.IR  
100max  
2.0max  
80  
A
50Hz Half-cycle sinewave Single Shot  
°C/W Junction to Case  
Rth(j-c)  
Tj  
40 to +150  
40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
IFSM Rating  
Ta IF(AV) Derating  
VF IF Characteristics (Typical)  
10.0  
8.0  
6.0  
4.0  
2.0  
0
80  
100  
10  
1
20ms  
60  
40  
20  
0
Ta=150°C  
100°C  
60°C  
0.1  
25°C  
0.01  
0
25 40 50  
75  
100  
125 150  
0
0.5  
1.0  
1.5  
(V)  
2.0  
1
5
10  
50  
Overcurrent Cycles  
Ambient Temperature Ta (ºC)  
Forward Voltage  
V
F
External dimensions (Unit: mm)  
4.6  
3.6  
±0.1  
φ
3.2  
Flammability:  
25  
C3  
UL94V-0 or equivalent  
+
4-1.0  
0.7  
±0.1  
7.5 7.5 7.5  
2.7  

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