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RBR30T30ANZ

更新时间： 2024-09-24 11:16:07

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关二极管
页数	文件大小	规格书
8页	1373K
描述
RBR30T30ANZ是低VF的开关电源用肖特基势垒二极管。

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RBR30T30ANZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

Structure

RBR30T30ANZ

Application

Dimensions (Unit : mm)

General rectification

Features

(1)

Anode

(2)

(3)

Cathode Anode

1) Cathode common dual type

2) High reliability

Low V_F

Construction

ROHM : TO220FN

Silicon epitaxial planar type

: Manufacture date

Package Dimensions (Unit : mm)

540

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Direct Reverse Voltage

60Hz half sin Wave, resistive load,

I_O/2 per diode, T_c=110°C Max.

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25°C, 1cycle, per diode

Average Forward Rectified Current

Non-repetitive Forward Current Surge Peak

I_FSM

T_j

100

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical and Thermal Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward Voltage

Conditions

I_F=15A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.55

300

V_R=30V

I_R

Reverse Current

A

R_th(j-c)

Junction to Case

Thermal Resistance

°C/W

www.rohm.com

2017.07 - Rev.B

1/5

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