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RB521S-30

更新时间： 2023-12-06 20:10:17

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先科 - SWST		肖特基二极管
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肖特基二极管

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RB521S-30 数据手册

RB521S-30

Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode

for low current rectification and high speed

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Features

• Extremely small surface mounting type

Top View

Simplified outline SOD-523 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

V_R

I_F(AV)

I_FSM

T_j

Average Forward Forward Current

Peak Forward Surge Current (60 Hz for Cyc.)

Junction Temperature

200

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 40 to + 125

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

V_F

Min.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 150 μA

Forward Voltage

at I_F= 200 mA

0.5

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

µA

1 / 3

Dated : 22/09/2022 Rev: 04

12 3

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