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RB521S-30

更新时间: 2024-01-04 14:30:38
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
Schottky barrier diode

RB521S-30 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:1.31Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN (SN)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB521S-30 数据手册

  
SMD Type  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB521S-30  
SOD-523  
Unit: mm  
+0.1  
1.2  
-0.1  
+0.1  
0.6  
-0.1  
Features  
+
-
Extremely Small surface mounting type.(EMD2)  
IO = 200 mA guaranteed despite the size.  
Low VF.(VF = 0.40 V Typ. At 200 mA)  
+0.1  
1.6  
-0.1  
0.77max  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
DC reverse voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VR  
IO  
30  
Mean rectifying current  
Peak forward surge current *  
Junction temperature  
Storage temperature  
* 60 Hz for 1  
200  
mA  
A
IFSM  
Tj  
1
150  
Tstg  
-40 to +125  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Param eter  
Forward voltage  
Sym bol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.6  
1
Unit  
V
VF  
IR  
IF = 200 m A  
VR = 10V  
Reverse current  
A
Marking  
Marking  
B
1
www.kexin.com.cn  

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