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RB451UMFHTL

更新时间： 2024-09-17 19:31:15

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罗姆 - ROHM		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	1003K
描述
Rectifier Diode,

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RB451UMFHTL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.46	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.45 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向电流：	90 µA
反向测试电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

RB451UMFHTL 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

RB451UMFH

AEC-Q101 Qualified

Land Size Figure (Unit : mm)

1.3

Application

Dimensions (Unit : mm)

2.0±0.1

0.9±0.1

Small current rectification

+0.1

-0.05

Each leads has

same dimensions

0.32

(3)

0.65

Features

1) Ultra small mold type

(UMD3F)

0~0.1

0.8MIN

UMD3F

(1)

(2)

2) High reliability

Structure

0.65

0.13±0.05

1.3±0.1

(3)

Super low V_F

(1) Anode

(2) NC

ROHM : UMD3F

JEDEC : SOT-323FL

JEITA : SC-85

(3) Cathode

: Year, week and factory

(1)

(2)

Construction

Taping Dimensions (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar type

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Conditions

Duty≦0.5

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,

resistive load

I_O

Average forward rectified current

Non-repetitive forward surge current

Operating Junction Temperature

Storage temperature

100

60Hz half sin wave,

non-repetitive at T_a=25ºC, 1cycle

I_FSM

T_j

125

°C

T_stg

55 to 125 °C

Electrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Conditions

I_F=10mA

Symbol

V_F1

V_F2

I_R1

Min. Typ. Max. Unit

0.30

0.45

Forward voltage

I_F=100mA

V_R=10V

A

Reverse current

V_R=40V

I_R2

f=1MHz, V_R=10V

C_t

Capacitance between terminals

6.0

www.rohm.com

2016.08 - Rev.A

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