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RB411VA-50TR

更新时间： 2024-12-01 21:13:51

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罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	620K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 50V V(RRM),

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RB411VA-50TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	7.51	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.3 V
最大非重复峰值正向电流：	3 A	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.5 A
最大重复峰值反向电压：	50 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

RB411VA-50TR 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB411VA-50

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

Features

1) Small mold type. (TUMD2)

2) High reliability.

TUMD2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ 0

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

0.5

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

°C

Storage temperature

Tstg

40 to 125

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=500mA

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.50

0.30

Unit

Forawrd voltage

V_F2

I_F=10mA

I_R

Reverse current

μA

V_R=10V

V_R=10V , f=1MHz

Capacitance between terminals

www.rohm.com

2012.03 - Rev.C

1/3

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