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RB411VA-50FH

更新时间： 2024-12-01 19:44:47

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	835K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 50V V(RRM), Silicon, TUMD2, 2 PIN

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RB411VA-50FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.76	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB411VA-50FH 数据手册

AEC-Q101 Qualified

Schottky Barrier Diode

RB411VA-50FH

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

Features

1) Small mold type. (TUMD2)

2) High reliability.

TUMD2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ 0

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

0.5

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

°C

Storage temperature

Tstg

40 to 125

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=500mA

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.50

0.30

Unit

Forawrd voltage

V_F2

I_F=10mA

I_R

Reverse current

μA

V_R=10V

V_R=10V , f=1MHz

Capacitance between terminals

www.rohm.com

2012.03 - Rev.C

1/3

12 3 4

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