RB411VA-50

更新时间： 2024-12-01 02:55:19

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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描述
Schottky barrier diode

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RB411VA-50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB411VA-50 数据手册

RB411VA-50

Diodes

Schottky barrier diode

RB411VA-50

zApplications

z External dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

zFeatures

1) Small mold type. (TUMD2)

2) High reliability.

TUMD2

zConstruction

zStructure

Silicon epitaxial planar

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

z Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.1

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

0.5

125

I_FSM

℃

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.50

0.30

Unit

I_F=500mA

Forawrd voltage

V_F2

I_F=10mA

I_R

V_R=10V

Reverse current

µA

V_R=10V , f=1MHz

Capacitance between terminals

1/3

12 3 4

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