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RB411DS-TP PDF预览

RB411DS-TP

更新时间： 2024-12-01 20:01:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 230K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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RB411DS-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.2其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

RB411DS-TP 数据手册

 浏览型号RB411DS-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RB411DS-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
TM  
RB411DS  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Small surface mounting type  
0.5 Amp Schottky  
Barrier Rectifier  
20 Volts  
xꢀ  
Low reverse current and low forward voltage  
High reliability  
xꢀ  
xꢀ  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
•
•
Moisture Sensitivity Level 1  
Marking: D3E  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOT-23  
A
D
Maximum Ratings  
Parameter  
Peak Reverse Voltage  
DC Reverse Voltage  
Mean Rectifying  
Current  
Symbol  
Value  
40  
20  
Unit  
V
VRM  
VR  
B
C
V
IO  
500  
3
mA  
A
F
E
Peak Forward Surge  
Current  
Junction Temperature  
IFSM  
TJ  
125  
к
к
H
G
J
Storage Temperature  
TSTG  
-40 to 125  
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
q
K
Parameter  
Forward Voltage  
@ IF=10mA  
Symbol  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
DIMENSIONS  
MM  
---  
---  
---  
---  
0.3  
0.5  
INCHES  
MIN  
VF  
V
DIM  
A
B
C
D
E
F
MAX  
.120  
.104  
MIN  
2.80  
2.10  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
@ IF=500mA  
.110  
.083  
Reverse Current  
@ VR=10V  
Capacitance  
Between Terminals  
@VR =10V, f=1MHz  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
1.20  
.89  
IR  
---  
---  
---  
30  
---  
uA  
pF  
1.78  
.45  
CT  
20  
G
H
J
.013  
.89  
.100  
1.12  
.180  
.51  
.085  
.37  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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与RB411DS-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RB411DS-TP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 40V V(RRM), Silicon,
RB411DT146 ROHM

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 		Schottky Barrier Diode
RB411D-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 20V V(RRM), Silicon, SOT-23, PLASTIC PACKAGE-3
RB411VA-50 ROHM

获取价格

 		Schottky barrier diode
RB411VA-50_11 ROHM

获取价格

 		Schottky Barrier Diode
RB411VA-50_12 ROHM

获取价格

 		Schottky Barrier Diode
RB411VA-50FH ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 50V V(RRM), Silicon, TUMD2, 2 PIN
RB411VA-50TR ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 50V V(RRM),
RB411VAM-50 ROHM

获取价格

 		RB411VAM-50是适合一般整流用途的肖特基势垒二极管。
RB415D ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SMD3, 3 PIN

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